מספר מוצר של יצרן:
IPP77N06S3-09
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP77N06S3-09-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 77A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
12804295
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP77N06S3-09 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
77A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.1mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 55µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
103 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5335 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
107W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP77N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IFEINFIPP77N06S3-09
IPP77N06S3-09IN
SP000088717
2156-IPP77N06S3-09-IT
IPP77N06S3-09-DG
IPP77N06S309X
IPP77N06S309XK
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMNH6008SCT
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMNH6008SCT-DG
מחיר ליחידה
1.18
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB041N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
IRF1010ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRLIZ34N
MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP
