מספר מוצר של יצרן:
IPP65R150CFDAAKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP65R150CFDAAKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
480 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801333
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP65R150CFDAAKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
22.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 900µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
86 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2340 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
195.3W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP65R150
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000928272
ROCINFIPP65R150CFDAAKSA1
2156-IPP65R150CFDAAKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB80N06S207ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRFH8311TRPBF
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
IPI65R190CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
