מספר מוצר של יצרן:
IPP65R041CFD7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP65R041CFD7XKSA1-DG
תיאור:
650V FET COOLMOS TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
500 יחידות חדשות מק originales במלאי
12945764
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP65R041CFD7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ CFD7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
41mOhm @ 24.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1.24mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
102 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4975 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
227W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP65R041
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPP65R041CFD7XKSA1
448-IPP65R041CFD7XKSA1
SP005413358
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IQE013N04LM6CGATMA1
40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
IPW65R060CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247
IPW65R041CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247