מספר מוצר של יצרן:
IPP60R090CFD7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP60R090CFD7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
476 יחידות חדשות מק originales במלאי
12802982
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP60R090CFD7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
90mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 570µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
51 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2103 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP60R090
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001686050
2156-IPP60R090CFD7XKSA1
IFEINFIPP60R090CFD7XKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF2804STRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IPA60R280P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
IPD50R500CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
