מספר מוצר של יצרן:
IPP50N10S3L16AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP50N10S3L16AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
12802972
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP50N10S3L16AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 60µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
64 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4180 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP50N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IFEINFIPP50N10S3L16AKSA1
2156-IPP50N10S3L16AKSA1
IPP50N10S3L16
IPP50N10S3L-16
SP000407118
IPP50N10S3L-16-DG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDP150N10A-F102
יצרן
onsemi
כמות זמינה
223
DiGi מספר חלק
FDP150N10A-F102-DG
מחיר ליחידה
1.03
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP80NF10
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
455
DiGi מספר חלק
STP80NF10-DG
מחיר ליחידה
1.50
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPP70N10S3L12AKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
401
DiGi מספר חלק
IPP70N10S3L12AKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.21
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSP603S2LHUMA1
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223-4
IRF7495TR
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
CMS16N06D-HF
MOSFET N-CH 60V 4.4A/16A DPAK
