מספר מוצר של יצרן:
IPP25N06S3L-22
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP25N06S3L-22-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 25A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 25A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
12803735
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP25N06S3L-22 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
21.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 20µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2260 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP25N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPP25N06S3L22XK
IPP25N06S3L-22-DG
IPP25N06S3L-22IN
IFEINFIPP25N06S3L-22
2156-IPP25N06S3L-22-IT
IPP25N06S3L22X
SP000087993
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFH8337TRPBF
MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
IRFR3410PBF
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
IRF7451PBF
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
