מספר מוצר של יצרן:
IPP120N20NFDAKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP120N20NFDAKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
898 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804885
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP120N20NFDAKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
84A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 84A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 270µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
87 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6650 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFIPP120N20NFDAKSA1
2156-IPP120N20NFDAKSA1
SP001108122
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR3711ZPBF
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
IRFR2905ZTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRFR6215PBF
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
