מספר מוצר של יצרן:
IPP110N20NAAKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP110N20NAAKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
2824 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804436
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP110N20NAAKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptimWatt™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
88A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.7mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 270µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
87 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7100 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP110
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPP110N20NAAKSA1
INFINFIPP110N20NAAKSA1
IPP110N20NA-DG
IPP110N20NA
SP000877672
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7811AVTR
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
IRFS59N10DTRRP
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
IRFR3103TRL
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK