מספר מוצר של יצרן:
IPP051N15N5AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP051N15N5AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 120A (Tc) 300mW (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12806243
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP051N15N5AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™ 5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.1mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.6V @ 264µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
100 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7800 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300mW (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP051
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPP051N15N5AKSA1
IPP051N15N5AKSA1-DG
SP001279600
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7809TR
MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO
SPB80N04S2L-03
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF3704L
MOSFET N-CH 20V 77A TO262
