מספר מוצר של יצרן:
IPP040N06NAKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP040N06NAKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 20A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
236 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804270
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP040N06NAKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Ta), 80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.8V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2700 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 107W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP040
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000959820
IPP040N06NAKSA1-DG
2156-IPP040N06NAKSA1
IPP040N06N
IPP040N06N-DG
448-IPP040N06NAKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFH5206TR2PBF
MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN
IRFP044N
MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC
IRFR3103
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
