מספר מוצר של יצרן:
IPP034NE7N3GXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP034NE7N3GXKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
1425 יחידות חדשות מק originales במלאי
13064207
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP034NE7N3GXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
אריזה
Tube
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
75 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 155µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
117 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8130 pF @ 37.5 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
214W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP034
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
IPP034NE7N3G
SP000641724
INFINFIPP034NE7N3GXKSA1
IPP034NE7N3 G
IPP034NE7N3 G-ND
2156-IPP034NE7N3GXKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF530NSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
IRLR3303TRPBF
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
IRFP9140NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
