מספר מוצר של יצרן:
IPP032N06N3GHKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP032N06N3GHKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12801268
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP032N06N3GHKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 118µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
165 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13000 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
188W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP032N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000453612
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTP260N055T2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
73
DiGi מספר חלק
IXTP260N055T2-DG
מחיר ליחידה
3.04
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
PSMN3R0-60PS,127
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
4251
DiGi מספר חלק
PSMN3R0-60PS,127-DG
מחיר ליחידה
1.62
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
PSMN3R3-60PLQ
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
5000
DiGi מספר חלק
PSMN3R3-60PLQ-DG
מחיר ליחידה
1.31
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPP032N06N3GXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1640
DiGi מספר חלק
IPP032N06N3GXKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.86
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPN70R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
IPB120N04S3-02
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IPD12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
