מספר מוצר של יצרן:
IPP026N04NF2SAKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP026N04NF2SAKMA1-DG
תיאור:
TRENCH PG-TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 29A (Ta), 121A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-U05
מלאי:
994 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001690
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP026N04NF2SAKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
StrongIRFET™2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
29A (Ta), 121A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.6mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.4V @ 81µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
102 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4800 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-U05
חבילה / מארז
TO-220-3
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPP026N04NF2SAKMA1
SP005632915
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MSC035SMA070J
MOSFET SIC 700 V 35 MOHM SOT-227
SIJH5800E-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
MCU12P06Y-TP
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
