מספר מוצר של יצרן:
IPP019N06NF2SAKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP019N06NF2SAKMA1-DG
תיאור:
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 33A (Ta), 185A (Tc) 3.8W (Ta), 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-U05
מלאי:
752 יחידות חדשות מק originales במלאי
12987846
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP019N06NF2SAKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
StrongIRFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
33A (Ta), 185A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.3V @ 129µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
162 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7300 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 188W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-U05
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPP019N06NF2SAKMA1
SP005742471
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
GT700P08T
P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
TK10P50W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK110Z65Z,S1F
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
