מספר מוצר של יצרן:
IPN60R1K0PFD7SATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPN60R1K0PFD7SATMA1-DG
תיאור:
CONSUMER PG-SOT223-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4.7A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
מלאי:
12964998
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPN60R1K0PFD7SATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ PFD7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
230 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
IPN60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPN60R1K0PFD7SATMA1CT
448-IPN60R1K0PFD7SATMA1DKR
448-IPN60R1K0PFD7SATMA1TR
SP005354000
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ISZ034N06LM5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
NVMTS4D3N15MC
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
PJA3404-AU_R1_000A1
SOT-23, MOSFET