מספר מוצר של יצרן:
IPL65R200CFD7AUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPL65R200CFD7AUMA1-DG
תיאור:
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
מלאי:
12975260
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPL65R200CFD7AUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
200mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 260µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1044 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
81W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-VSON-4
חבילה / מארז
4-PowerTSFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPL65R200CFD7AUMA1CT
SP005559257
448-IPL65R200CFD7AUMA1TR
448-IPL65R200CFD7AUMA1DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
2A (4 Weeks)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MCA03N06-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-89
MCAC85N06KY-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
SI3400-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
