מספר מוצר של יצרן:
IPL60R1K5C6SATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPL60R1K5C6SATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 26.6W (Tc) Surface Mount 8-ThinPak (5x6)
מלאי:
12818360
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPL60R1K5C6SATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ C6
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 90µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
200 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
26.6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-ThinPak (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
IPL60R1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001163010
448-IPL60R1K5C6SATMA1TR
IPL60R1K5C6SATMA1-DG
2156-IPL60R1K5C6SATMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CSD16327Q3T
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
IRF7811TR
MOSFET N-CH 28V 14A 8SO
CSD16404Q5A
MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
