מספר מוצר של יצרן:
IPI80P04P4L04AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI80P04P4L04AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3
תיאור מפורט:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
מלאי:
12799951
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI80P04P4L04AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
176 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+5V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3-1
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI80P
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000840198
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPP120P04P4L03AKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPP120P04P4L03AKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.07
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB120N06S402ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
BSC030P03NS3GAUMA1
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
IPI041N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3