מספר מוצר של יצרן:
IPI80N06S407AKSA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI80N06S407AKSA2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
מלאי:
500 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804057
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI80N06S407AKSA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 40µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
56 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
79W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3-1
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI80N06
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFIPI80N06S407AKSA2
SP001028676
2156-IPI80N06S407AKSA2
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPN70R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
IRFR4105ZTRR
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IRFI9Z34N
MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP
