מספר מוצר של יצרן:
IPI70N04S307AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI70N04S307AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
12804985
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI70N04S307AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2700 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
79W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI70N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPI70N04S3-07
SP000279551
IPI70N04S3-07-DG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPI70N04S406AKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
500
DiGi מספר חלק
IPI70N04S406AKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.80
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
BUK7E8R3-40E,127
יצרן
NXP USA Inc.
כמות זמינה
1749
DiGi מספר חלק
BUK7E8R3-40E,127-DG
מחיר ליחידה
0.41
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFL024NPBF
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
IPP260N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3
IRFH5306TRPBF
MOSFET N-CH 30V 15A/44A PQFN
