מספר מוצר של יצרן:
IPI45P03P4L11AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI45P03P4L11AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 45A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
12804519
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI45P03P4L11AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
45A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.1mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 85µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
55 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+5V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3770 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
58W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI45P
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000396310
IPI45P03P4L-11-DG
IPI45P03P4L-11
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF630NL
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262
IRF9Z24NS
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
IRF7233TRPBF
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
