מספר מוצר של יצרן:
IPI111N15N3GAKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI111N15N3GAKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
500 יחידות חדשות מק originales במלאי
12805026
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI111N15N3GAKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
83A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.1mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 160µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
55 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3230 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
214W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI111
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPI111N15N3GAKSA1-448
IPI111N15N3 G
SP000680232
IPI111N15N3 G-DG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPU80R600P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
IPP26CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3
IRF7807TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO