מספר מוצר של יצרן:
IPI100N08S207AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI100N08S207AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
12803188
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI100N08S207AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
75 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
200 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4700 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI100N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPI100N08S2-07
SP000219041
IPI100N08S2-07-DG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFSL3207ZPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
880
DiGi מספר חלק
IRFSL3207ZPBF-DG
מחיר ליחידה
1.46
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPSA70R1K4P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
IRFU4615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A IPAK
IRF7739L1TRPBF
MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
