IPI100N06S3L-03
מספר מוצר של יצרן:

IPI100N06S3L-03

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPI100N06S3L-03-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

מלאי:

12802857
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPI100N06S3L-03 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 230µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
550 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
26240 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI100N

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
IPI100N06S3L-03IN
IPI100N06S3L-03-DG
IFEINFIPI100N06S3L-03
IPI100N06S3L03X
SP000087979
IPI100N06S3L03XK
2156-IPI100N06S3L-03-IT
חבילה סטנדרטית
500

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRFP7430PBF

MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC

infineon-technologies

AUIRFP4409

MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC

infineon-technologies

IPD30N06S2-15

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

infineon-technologies

IPB60R280P7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK