מספר מוצר של יצרן:
IPI037N06L3GHKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI037N06L3GHKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
12803125
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI037N06L3GHKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 93µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
79 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13000 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
167W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI037N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPI037N06L3 G
IPI037N06L3 G-DG
SP000397910
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
PSMN8R7-80PS,127
יצרן
NXP Semiconductors
כמות זמינה
6806
DiGi מספר חלק
PSMN8R7-80PS,127-DG
מחיר ליחידה
0.91
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FDI030N06
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FDI030N06-DG
מחיר ליחידה
2.27
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRFSL3306PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRFSL3306PBF-DG
מחיר ליחידה
1.04
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF6215L
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
IRF3808LPBF
MOSFET N-CH 75V 106A TO262
IPU80R1K4CEBKMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3