מספר מוצר של יצרן:
IPI024N06N3GHKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI024N06N3GHKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
12803483
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI024N06N3GHKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 196µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
275 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
23000 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI024N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPI024N06N3 G
IPI024N06N3 G-DG
SP000451486
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPI024N06N3GXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPI024N06N3GXKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.35
סוג משאב
Direct
מספר חלק
PSMN2R0-60ES,127
יצרן
NXP Semiconductors
כמות זמינה
7334
DiGi מספר חלק
PSMN2R0-60ES,127-DG
מחיר ליחידה
1.30
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRFSL3206PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1600
DiGi מספר חלק
IRFSL3206PBF-DG
מחיר ליחידה
1.22
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP60R099P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
IPB60R299CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3