מספר מוצר של יצרן:
IPG20N10S4L22AATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPG20N10S4L22AATMA1-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
תיאור מפורט:
Mosfet Array 100V 20A 60W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
מלאי:
22047 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804374
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPG20N10S4L22AATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
22mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.1V @ 25µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1755pF @ 25V
הספק - מקס'
60W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount, Wettable Flank
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-10
מספר מוצר בסיסי
IPG20N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPG20N10S4L22AATMA1TR
IPG20N10S4L22AATMA1DKR
IPG20N10S4L22AATMA1CT
SP001091984
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF9952TR
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
IRF5851
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP
IRF7316GTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO