מספר מוצר של יצרן:
IPG20N06S4L11ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPG20N06S4L11ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
מלאי:
4720 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800855
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPG20N06S4L11ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 28µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
53nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4020pF @ 25V
הספק - מקס'
65W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-4
מספר מוצר בסיסי
IPG20N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPG20N06S4L11ATMA1-DG
448-IPG20N06S4L11ATMA1DKR
448-IPG20N06S4L11ATMA1TR
448-IPG20N06S4L11ATMA1CT
SP000705550
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPG20N06S3L-23
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
IPG20N06S2L65AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
FF23MR12W1M1B11BOMA1
SIC 2N-CH 1200V 50A MODULE