מספר מוצר של יצרן:
IPDQ60R020CFD7XTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPDQ60R020CFD7XTMA1-DG
תיאור:
HIGH POWER_NEW
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 112A (Tc) 543W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
מלאי:
13000578
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPDQ60R020CFD7XTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
112A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
20mOhm @ 42.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 2.12mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
186 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7395 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
543W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-HDSOP-22-1
חבילה / מארז
22-PowerBSOP Module
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPDQ60R020CFD7XTMA1CT
448-IPDQ60R020CFD7XTMA1TR
SP005419685
448-IPDQ60R020CFD7XTMA1DKR
חבילה סטנדרטית
750
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IAUCN04S6N018TATMA1
MOSFET_(20V 40V)
SQJ459EP-T2_GE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
DMTH48M3SFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
