מספר מוצר של יצרן:
IPD90N10S4L06ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD90N10S4L06ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
מלאי:
4873 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803049
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD90N10S4L06ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.1V @ 90µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
98 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6250 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
136W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-313
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD90
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD90N10S4L06ATMA1-DG
IPD90N10S4L06ATMA1CT
IPD90N10S4L06ATMA1TR
IPD90N10S4L06ATMA1DKR
SP000866562
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD65R380E6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPI80N03S4L03AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
IPT210N25NFDATMA1
MV POWER MOS
