מספר מוצר של יצרן:
IPD80R360P7ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD80R360P7ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 84W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
12851854
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD80R360P7ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 280µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
930 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
84W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD80R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD80R360P7ATMA1CT
SP001633516
IPD80R360P7ATMA1TR
IPD80R360P7ATMA1DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD13N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
8724
DiGi מספר חלק
STD13N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.81
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSC022N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
FDS8896
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
FDT439N
MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
