מספר מוצר של יצרן:
IPD80R2K8CEBTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD80R2K8CEBTMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
12800117
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD80R2K8CEBTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 120µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
290 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD80R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD80R2K8CEBTMA1TR
IPD80R2K8CEBTMA1DKR
SP001100602
IPD80R2K8CEBTMA1CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD80R2K8CEATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4870
DiGi מספר חלק
IPD80R2K8CEATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.36
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
STD3N80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
4899
DiGi מספר חלק
STD3N80K5-DG
מחיר ליחידה
0.53
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCD3400N80Z
יצרן
onsemi
כמות זמינה
957
DiGi מספר חלק
FCD3400N80Z-DG
מחיר ליחידה
0.69
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP023N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
IPI200N15N3 G
MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
IPD60R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252