בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
IPD70R600CEAUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD70R600CEAUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 10.5A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
13064175
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD70R600CEAUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ CE
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 210µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
474 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
86W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD70
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
IPD70R600CE
גיליונות נתונים
IPD70R600CEAUMA1
גיליון נתונים של HTML
IPD70R600CEAUMA1-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPD70R600CEAUMA1
ROCINFIPD70R600CEAUMA1
SP001466998
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD12N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
4977
DiGi מספר חלק
STD12N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.59
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STD10NM60ND
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2200
DiGi מספר חלק
STD10NM60ND-DG
מחיר ליחידה
0.83
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
TK7P60W,RVQ
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
1994
DiGi מספר חלק
TK7P60W,RVQ-DG
מחיר ליחידה
0.79
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPD70R600P7SAUMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
12894
DiGi מספר חלק
IPD70R600P7SAUMA1-DG
מחיר ליחידה
0.26
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFC3206EB
MOSFET N-CH WAFER
IRF540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
IRFH5406TRPBF
MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
IRFP4137PBF
MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC