מספר מוצר של יצרן:
IPD70N10S3L12ATMA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD70N10S3L12ATMA2-DG
תיאור:
MOSFET_(75V 120V(
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
13269027
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD70N10S3L12ATMA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
70A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 83µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
77 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5550 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005549664
448-IPD70N10S3L12ATMA2TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFP4127PBFAKMA1
TRENCH >=100V
IPB035N12NM6ATMA1
TRENCH >=100V
DMN6041SVT-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
