בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
קונגו - קינשאסה
ארגנטינה
טורקיה
רומניה
ליטא
נורווגיה
אוסטריה
אנגולה
סלובקיה
לטלי
פינלנד
בלרוס
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
מונטנגרו
רוסית
בלגיה
שוודיה
סרביה ומונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
מולדובה
גרמניה
הולנד
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
צרפת
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
פורטוגל
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ספרד
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
IPD70N03S4L04ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD70N03S4L04ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 70A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
5130 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800214
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD70N03S4L04ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
70A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.3mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 30µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
48 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
68W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD70
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
IPD70N03S4L-04
גיליונות נתונים
IPD70N03S4L04ATMA1
גיליון נתונים של HTML
IPD70N03S4L04ATMA1-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD70N03S4L04
IPD70N03S4L04ATMA1DKR
2156-IPD70N03S4L04ATMA1
IPD70N03S4L04ATMA1TR
IPD70N03S4L-04DKR-DG
INFINFIPD70N03S4L04ATMA1
IPD70N03S4L-04CT-DG
IPD70N03S4L-04-DG
IPD70N03S4L-04CT
IPD70N03S4L-04TR-DG
SP000274986
IPD70N03S4L-04
IPD70N03S4L-04TR
IPD70N03S4L04ATMA1CT
IPD70N03S4L-04DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA65R190CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
IPA50R500CE
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-FP
BSZ150N10LS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
IPB80R290C3AATMA2
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3