מספר מוצר של יצרן:
IPD65R950CFDBTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD65R950CFDBTMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 3.9A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
12850678
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD65R950CFDBTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 200µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14.1 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
380 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
36.7W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD65R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD65R950CFDBTMA1CT
SP000953124
IPD65R950CFDBTMA1TR
IPD65R950CFDBTMA1DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD65R950CFDATMA2
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2500
DiGi מספר חלק
IPD65R950CFDATMA2-DG
מחיר ליחידה
0.45
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
STD9N80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STD9N80K5-DG
מחיר ליחידה
0.93
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
AOD4S60
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
7783
DiGi מספר חלק
AOD4S60-DG
מחיר ליחידה
0.47
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STD7N80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
5091
DiGi מספר חלק
STD7N80K5-DG
מחיר ליחידה
0.95
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
