מספר מוצר של יצרן:
IPD60R600P7SAUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD60R600P7SAUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
9704 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803347
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
otch
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD60R600P7SAUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 80µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
363 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD60R600P7SAUMA1TR
IPD60R600P7SAUMA1DKR
SP001658286
IPD60R600P7SAUMA1-DG
INFINFIPD60R600P7SAUMA1
IPD60R600P7SAUMA1CT
2156-IPD60R600P7SAUMA1
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFS7434TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
IPB34CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A D2PAK
IPI100N04S303MATMA1
MOSFET N-CH TO262-3
