מספר מוצר של יצרן:
IPD60R520C6ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD60R520C6ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 8.1A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
12801129
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD60R520C6ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ C6
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
520mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 230µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
512 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
66W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001117722
IPD60R520C6ATMA1-DG
IPD60R520C6ATMA1TR
IPD60R520C6ATMA1CT
IPD60R520C6ATMA1DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD80R450P7ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
12650
DiGi מספר חלק
IPD80R450P7ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.81
סוג משאב
Direct
מספר חלק
STD11NM65N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
4162
DiGi מספר חלק
STD11NM65N-DG
מחיר ליחידה
1.45
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTY8N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
20
DiGi מספר חלק
IXTY8N65X2-DG
מחיר ליחידה
1.22
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSZ440N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
IPP048N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
IPC70N04S54R6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
