מספר מוצר של יצרן:
IPD60R380E6BTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD60R380E6BTMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
12801344
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD60R380E6BTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ E6
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 300µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
700 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 155°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFIPD60R380E6BTMA1
2156-IPD60R380E6BTMA1-IT
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
Not applicable
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD13N60DM2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2498
DiGi מספר חלק
STD13N60DM2-DG
מחיר ליחידה
0.73
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STD13NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
7475
DiGi מספר חלק
STD13NM60N-DG
מחיר ליחידה
1.14
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
TK380P60Y,RQ
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
5725
DiGi מספר חלק
TK380P60Y,RQ-DG
מחיר ליחידה
0.57
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPI26CN10N G
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
IPB65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
