מספר מוצר של יצרן:
IPD60R360P7SAUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD60R360P7SAUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
69 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803010
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD60R360P7SAUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 140µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
555 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
41W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
ROCINFIPD60R360P7SAUMA1
IPD60R360P7SAUMA1TR
IPD60R360P7SAUMA1DKR
IPD60R360P7SAUMA1CT
2156-IPD60R360P7SAUMA1
IPD60R360P7SAUMA1-DG
SP001658166
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TSM70N380CP ROG
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
14899
DiGi מספר חלק
TSM70N380CP ROG-DG
מחיר ליחידה
1.39
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPD60R360P7SE8228AUMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2439
DiGi מספר חלק
IPD60R360P7SE8228AUMA1-DG
מחיר ליחידה
0.33
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPI50CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
IRF1010EZSTRLP
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
IRF7413A
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
