מספר מוצר של יצרן:
IPD60R280PFD7SAUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD60R280PFD7SAUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
מלאי:
1871 יחידות חדשות מק originales במלאי
12810866
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD60R280PFD7SAUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ PFD7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
280mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 180µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
656 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
51W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-344
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPD60R280PFD7SAUMA1TR
448-IPD60R280PFD7SAUMA1DKR
SP003493724
448-IPD60R280PFD7SAUMA1CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPT60R022S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252