IPD60R145CFD7ATMA1
מספר מוצר של יצרן:

IPD60R145CFD7ATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPD60R145CFD7ATMA1-DG

תיאור:

MOSFET N CH
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)

מלאי:

8784 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800264
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPD60R145CFD7ATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ CFD7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
145mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 340µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
31 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1330 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD60R

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
448-IPD60R145CFD7ATMA1TR
SP001715664
448-IPD60R145CFD7ATMA1DKR
448-IPD60R145CFD7ATMA1CT
IPD60R145CFD7ATMA1-DG
חבילה סטנדרטית
2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPD60R450E6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3

infineon-technologies

IPI045N10N3GXK

MOSFET N-CH 100V 137A TO262-3

infineon-technologies

IPD50R280CEATMA1

MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3

infineon-technologies

IPB70N10SL16ATMA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3