מספר מוצר של יצרן:
IPD50P04P4L11ATMA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD50P04P4L11ATMA2-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
תיאור מפורט:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
מלאי:
6020 יחידות חדשות מק originales במלאי
12927721
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD50P04P4L11ATMA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS®-P2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 85µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
59 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+5V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3900 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
58W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-313
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD50
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPD50P04P4L11ATMA2CT
448-IPD50P04P4L11ATMA2TR
SP002325766
448-IPD50P04P4L11ATMA2DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
JAN2N6764
MOSFET N-CH 100V 38A TO204AE
FDS8817NZ
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
JAN2N6782U
MOSFET N-CH 100V 3.5A 18ULCC
