מספר מוצר של יצרן:
IPD50N06S4L12ATMA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD50N06S4L12ATMA2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
17005 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800766
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD50N06S4L12ATMA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 20µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2890 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD50
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFIPD50N06S4L12ATMA2
2156-IPD50N06S4L12ATMA2
IPD50N06S4L12ATMA2DKR
IPD50N06S4L12ATMA2TR
SP001028640
IPD50N06S4L12ATMA2CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSC360N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
IPC95R750P7X7SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPB240N03S4LR8ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7