מספר מוצר של יצרן:
IPD30N06S2L13ATMA4
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD30N06S2L13ATMA4-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
19615 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800492
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD30N06S2L13ATMA4 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 80µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
69 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
136W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD30N06
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD30N06S2L13ATMA4TR
SP001061280
2156-IPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4DKR
INFINFIPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4-DG
IPD30N06S2L13ATMA4CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD122N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
BUZ31
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
