מספר מוצר של יצרן:
IPD100N04S402ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD100N04S402ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
מלאי:
4318 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800231
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD100N04S402ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 95µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
118 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9430 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-313
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD100
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD100N04S402ATMA1CT
INFINFIPD100N04S402ATMA1
IPD100N04S4-02-DG
SP000646184
2156-IPD100N04S402ATMA1
IPD100N04S402ATMA1DKR
IPD100N04S4-02
IPD100N04S402ATMA1TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB065N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPI65R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3