מספר מוצר של יצרן:
IPD082N10N3GATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD082N10N3GATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
31476 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800584
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD082N10N3GATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.2mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 75µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
55 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3980 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD082
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD082N10N3GATMA1-DG
IPD082N10N3GATMA1TR
SP001127824
IPD082N10N3GATMA1CT
IPD082N10N3GATMA1DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD50R800CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
IPA50R399CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-FP
IPC60R280E6X7SA1
MOSFET N-CH
