מספר מוצר של יצרן:
IPD046N08N5ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD046N08N5ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
2400 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801290
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD046N08N5ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 65µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
53 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3800 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD046
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPD046N08N5ATMA1CT
IPD046N08N5ATMA1-DG
SP001475652
448-IPD046N08N5ATMA1DKR
448-IPD046N08N5ATMA1TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDD86367
יצרן
onsemi
כמות זמינה
40875
DiGi מספר חלק
FDD86367-DG
מחיר ליחידה
0.86
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPI65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
IPB065N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
BSP171PE6327
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
