IPD036N04LGATMA1
מספר מוצר של יצרן:

IPD036N04LGATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPD036N04LGATMA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

מלאי:

41796 יחידות חדשות מק originales במלאי
12930204
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPD036N04LGATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™ 3
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 45µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
78 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6300 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
94W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD036

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
448-IPD036N04LGATMA1TR
SP001128832
448-IPD036N04LGATMA1DKR
448-IPD036N04LGATMA1CT
חבילה סטנדרטית
2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
rohm-semi

R6035KNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

rohm-semi

R6035ENZ4C13

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

nexperia

PSMN8R5-40MSDX

MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33

onsemi

NTDV2955-1G

MOSFET P-CH 60V 12A IPAK