מספר מוצר של יצרן:
IPC302N20NFDX1SA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPC302N20NFDX1SA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
מלאי:
12801028
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPC302N20NFDX1SA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Bulk
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1A (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 270µA
VGS (מקס')
-
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
Sawn on foil
חבילה / מארז
Die
מספר מוצר בסיסי
IPC302N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPC302N20NFDX1SA1
INFINFIPC302N20NFDX1SA1
SP001363494
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD090N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
IPB80N06S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD5N25S3430ATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
